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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSO080P03NS3E G 

产品描述

MOSFET P-KANAL

内部编号

173-BSO080P03NS3E-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:2120
20+¥4.6455
40+¥4.3415
200+¥4.1135
500+¥4.066
1000+¥4.028
最小起订量:20
英国伦敦
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#2

数量:1640
20+¥4.8735
40+¥4.56
200+¥4.313
500+¥4.275
1000+¥4.2275
最小起订量:20
英国伦敦
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#3

数量:5300
20+¥5.143
40+¥4.812
200+¥3.699
500+¥3.663
1000+¥3.627
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSO080P03NS3E G产品详细规格

规格书 BSO080P03NS3E G datasheet 规格书
BSO080P03NS3E G
BSO080P03NS3E G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 12A
Rds(最大)@ ID,VGS 8 mOhm @ 14.8A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.9V @ 150µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 81nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 6750pF @ 15V
功率 - 最大 1.6W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 PG-DSO-8
包装材料 Tape & Reel (TR)

BSO080P03NS3E G系列产品

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